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					项目
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					物质
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					电源电压
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					直流+12V~+26V
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					电流消耗
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					30 mA 或更低(不包括输出灌电流、仅传感器)
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					输出
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					格式
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					晶体管系统:A 相、B 相、Z 相 ※1 ※2 
R5:N 沟道 MOSFET 漏极开路 
R7:P 沟道 MOSFET 漏极开路
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					能力
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					外加电压:DC+30V以下 
R5:吸收电流:100mA以下(剩余电压:1V以下) 
R7:吸收电流:100mA以下(电源电压:-1V以下)
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					有效角度
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					360°
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					分辨率
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					W250:250 个脉冲/转(4 次乘法后 1000 个计数/转) 
W500:500 个脉冲/转(4 次乘法后 2000 个计数/转) 
W1250:1250 个脉冲/转(4 次后 5000 个计数/转)
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					采样周期
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					W250:500μsec 
W500:1msec 
W1250:1.5msec
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					最大转数
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					W250:19800rpm 
W500:9900rpm 
W1250:3600rpm
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					作距离
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					8±2 毫米 ※3
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					安装中心移位
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					在检测中心 φ1 的圆周范围内
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					线性
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					1%满量程
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					宽容 ※4
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					宽 250:0.72° 
宽 500:0.9° 
宽 1250:0.36°
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					工作温度范围
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					-10°C~+60°C(无冷凝或冻结)
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					工作湿度范围
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					35~95%RH (无冷凝)
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					保护结构
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					IP67(IEC 标准) ※5
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					RoHS 指令
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					通信
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					法典
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					5芯/φ5/0.3mm2/1m ※6
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					大纲
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					传感器
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					宽 52 毫米×高 51 毫米×深 18 毫米 
(不包括电缆接头)
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					充磁器
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					φ30mm×高度 9mm
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					材料
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					传感器案例
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					铝
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					传感器盖
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					铝
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					磁流壳
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					ABS
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					质量
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					传感器
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					约 135 克(包括电源线)
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					充磁器
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					约 10 克
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